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4508589Imagen MT46H32M16LFBF-5 AIT:C TRMicron Technology

MT46H32M16LFBF-5 AIT:C TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MT46H32M16LFBF-5 AIT:C TR
  • Fabricante / Marca
    Micron Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MT46H32M16LFBF-5 AIT:C TR.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    15ns
  • Suministro de voltaje
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tecnología
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • Paquete del dispositivo
    60-VFBGA (8x9)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    60-VFBGA
  • Otros nombres
    MT46H32M16LFBF-5 AIT:C TR-ND
    MT46H32M16LFBF-5AIT:CTR
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    512Mb (32M x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 200MHz 5.0ns 60-VFBGA (8x9)
  • Frecuencia de reloj
    200MHz
  • Número de pieza base
    MT46H32M16
  • Tiempo de acceso
    5.0ns

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MT46H32M16LFBF-6 AIT:C TR

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
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MT46H32M16LFBF-5 IT:B TR

MT46H32M16LFBF-5 IT:B TR

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

Fabricantes: Micron Technology
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RFQ
MT46H32M16LFBF-6 AT:B

MT46H32M16LFBF-6 AT:B

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
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MT46H32M16LFBF-5:B TR

MT46H32M16LFBF-5:B TR

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT46H256M32L4SA-48 WT:C

MT46H256M32L4SA-48 WT:C

Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 168TFBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT46H32M16LFBF-5 IT:C

MT46H32M16LFBF-5 IT:C

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

Fabricantes: Micron Technology
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RFQ
MT46H256M32L4LE-48 WT:C TR

MT46H256M32L4LE-48 WT:C TR

Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 168TFBGA

Fabricantes: Micron Technology
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RFQ
MT46H32M16LFBF-6 AAT:C

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ

Fabricantes: Micron Technology
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RFQ
MT46H256M32R4JV-5 WT:B

MT46H256M32R4JV-5 WT:B

Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA

Fabricantes: Micron Technology
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RFQ
MT46H256M32L4JV-6 WT:B TR

MT46H256M32L4JV-6 WT:B TR

Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT46H256M32R4JV-5 WT:B TR

MT46H256M32R4JV-5 WT:B TR

Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT46H32M16LFBF-5 AIT:C

MT46H32M16LFBF-5 AIT:C

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT46H32M16LFBF-6 AIT:C

MT46H32M16LFBF-6 AIT:C

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT46H32M16LFBF-6 AAT:C TR

MT46H32M16LFBF-6 AAT:C TR

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

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MT46H32M16LFBF-5 IT:C TR

MT46H32M16LFBF-5 IT:C TR

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

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MT46H256M32R4JV-5 IT:B TR

MT46H256M32R4JV-5 IT:B TR

Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA

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MT46H256M32L4LE-48 WT:C

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Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 208MHZ

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

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Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 168TFBGA

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MT46H256M32R4JV-5 IT:B

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Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA

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