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89636Imagen MT46V128M4BN-5B:FMicron Technology

MT46V128M4BN-5B:F

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MT46V128M4BN-5B:F
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    15ns
  • Suministro de voltaje
    2.5 V ~ 2.7 V
  • Tecnología
    SDRAM - DDR
  • Paquete del dispositivo
    60-FBGA (10x12.5)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    60-TFBGA
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    512Mb (128M x 4)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (128M x 4) Parallel 200MHz 700ps 60-FBGA (10x12.5)
  • Frecuencia de reloj
    200MHz
  • Número de pieza base
    MT46V128M4
  • Tiempo de acceso
    700ps
MT46V128M4BN-6:D

MT46V128M4BN-6:D

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT46H8M32LFB5-6:H

MT46H8M32LFB5-6:H

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT46V128M4CY-5B:J TR

MT46V128M4CY-5B:J TR

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT46H8M32LFB5-75:A TR

MT46H8M32LFB5-75:A TR

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT46V128M4BN-6:F

MT46V128M4BN-6:F

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT46V128M4BN-6:D TR

MT46V128M4BN-6:D TR

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT46V128M4BN-75:D

MT46V128M4BN-75:D

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT46H8M32LFB5-5 IT:H

MT46H8M32LFB5-5 IT:H

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT46V128M4BN-5B:F TR

MT46V128M4BN-5B:F TR

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT46H8M32LFB5-5:H TR

MT46H8M32LFB5-5:H TR

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT46H8M32LFB5-5 IT:H TR

MT46H8M32LFB5-5 IT:H TR

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT46H8M32LFB5-5:H

MT46H8M32LFB5-5:H

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT46V128M4CY-5B:J

MT46V128M4CY-5B:J

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT46H8M32LFB5-75 IT:A TR

MT46H8M32LFB5-75 IT:A TR

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT46V128M4BN-75:D TR

MT46V128M4BN-75:D TR

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT46H8M32LFB5-6 IT:A TR

MT46H8M32LFB5-6 IT:A TR

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT46H8M32LFB5-6:A TR

MT46H8M32LFB5-6:A TR

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT46H8M32LFB5-6 IT:H

MT46H8M32LFB5-6 IT:H

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT46V128M4BN-6:F TR

MT46V128M4BN-6:F TR

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT46V128M4FN-5B:D TR

MT46V128M4FN-5B:D TR

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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