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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > MT46V32M16BN-75:C TR
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4624771Imagen MT46V32M16BN-75:C TRMicron Technology

MT46V32M16BN-75:C TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MT46V32M16BN-75:C TR
  • Fabricante / Marca
    Micron Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    15ns
  • Suministro de voltaje
    2.3 V ~ 2.7 V
  • Tecnología
    SDRAM - DDR
  • Paquete del dispositivo
    60-FBGA (10x12.5)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    60-TFBGA
  • Otros nombres
    MT46V32M16BN-75:C TR-ND
    MT46V32M16BN-75:CTR
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    5 (48 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    512Mb (32M x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 133MHz 750ps 60-FBGA (10x12.5)
  • Frecuencia de reloj
    133MHz
  • Número de pieza base
    MT46V32M16
  • Tiempo de acceso
    750ps

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Fabricantes: Micron Technology
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MT46V32M16BN-75 L:C

MT46V32M16BN-75 L:C

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT46V32M16CY-5B AAT:J TR

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT46V32M16BN-75:C

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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