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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > MT46V64M8TG-5B:D TR
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4823579Imagen MT46V64M8TG-5B:D TRMicron Technology

MT46V64M8TG-5B:D TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MT46V64M8TG-5B:D TR
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    15ns
  • Suministro de voltaje
    2.5 V ~ 2.7 V
  • Tecnología
    SDRAM - DDR
  • Paquete del dispositivo
    66-TSOP
  • Serie
    -
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Otros nombres
    557-1037-1
    MT46V64M8TG-5B:D
    MT46V64M8TG-5B:F
    MT46V64M8TG5BDTR
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    4 (72 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    512Mb (64M x 8)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 200MHz 700ps 66-TSOP
  • Frecuencia de reloj
    200MHz
  • Número de pieza base
    MT46V64M8
  • Tiempo de acceso
    700ps
MT46V64M8TG-6T L:F

MT46V64M8TG-6T L:F

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT46V64M8TG-5B IT:J

MT46V64M8TG-5B IT:J

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT46V64M8TG-6T:F TR

MT46V64M8TG-6T:F TR

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT46V64M8P-75:D TR

MT46V64M8P-75:D TR

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT46V64M8P-75 IT:D TR

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

Fabricantes: Micron Technology
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MT46V64M8T67A3WC1

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Descripción: DDR 512M DIE 64MX8

Fabricantes: Micron Technology
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MT46V64M8TG-6T IT:D TR

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

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MT46V64M8TG-75 IT:D

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

Fabricantes: Micron Technology
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MT46V64M8P-75 L:D

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

Fabricantes: Micron Technology
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MT46V64M8P-75Z:D

MT46V64M8P-75Z:D

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

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MT46V64M8TG-75 IT:D TR

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

Fabricantes: Micron Technology
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MT46V64M8TG-5B:J

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

Fabricantes: Micron Technology
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MT46V64M8TG-6T:D TR

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

Fabricantes: Micron Technology
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MT46V64M8P-75 L:D TR

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

Fabricantes: Micron Technology
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MT46V64M8P-75Z:D TR

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

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MT46V64M8TG-5B:J TR

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

Fabricantes: Micron Technology
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MT46V64M8TG-5B IT:J TR

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

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MT46V64M8TG-6T L:F TR

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

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MT46V64M8TG-6T IT:F TR

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MT46V64M8P-75:D

MT46V64M8P-75:D

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