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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > MT46V8M16TG-6T:D TR
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4146001Imagen MT46V8M16TG-6T:D TRMicron Technology

MT46V8M16TG-6T:D TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MT46V8M16TG-6T:D TR
  • Fabricante / Marca
    Micron Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    MT46V8M16TG-6T:D TR.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    15ns
  • Suministro de voltaje
    2.3 V ~ 2.7 V
  • Tecnología
    SDRAM - DDR
  • Paquete del dispositivo
    66-TSOP
  • Serie
    -
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Otros nombres
    557-1043-1
    MT46V8M16TG-6T:D
    MT46V8M16TG6TDTR
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    2 (1 Year)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    128Mb (8M x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - DDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 167MHz 700ps 66-TSOP
  • Frecuencia de reloj
    167MHz
  • Número de pieza base
    MT46V8M16
  • Tiempo de acceso
    700ps

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Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

Fabricantes: Micron Technology
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Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

Fabricantes: Micron Technology
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Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

Fabricantes: Micron Technology
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Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

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Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

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Descripción: IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 84BGA

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Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

Fabricantes: Micron Technology
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Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

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Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

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