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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > MT47H128M8JN-3 IT:H
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5161115Imagen MT47H128M8JN-3 IT:HMicron Technology

MT47H128M8JN-3 IT:H

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MT47H128M8JN-3 IT:H
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    15ns
  • Suministro de voltaje
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tecnología
    SDRAM - DDR2
  • Paquete del dispositivo
    60-FBGA (8x10)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    60-TFBGA
  • Otros nombres
    MT47H128M8JN-3 IT:H-ND
    MT47H128M8JN-3IT:H
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    1Gb (128M x 8)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - DDR2 Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 333MHz 450ps 60-FBGA (8x10)
  • Frecuencia de reloj
    333MHz
  • Número de pieza base
    MT47H128M8
  • Tiempo de acceso
    450ps
MT47H128M8HQ-3 IT:G

MT47H128M8HQ-3 IT:G

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H128M8HQ-187E:E TR

MT47H128M8HQ-187E:E TR

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H128M8CF-3:H TR

MT47H128M8CF-3:H TR

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H128M8SH-187E:M

MT47H128M8SH-187E:M

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H128M8SH-25E AIT:M

MT47H128M8SH-25E AIT:M

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H128M8SH-25E:M

MT47H128M8SH-25E:M

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H128M8HQ-3:E TR

MT47H128M8HQ-3:E TR

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H16M16BG-37E:B TR

MT47H16M16BG-37E:B TR

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H128M8HQ-3 L:G

MT47H128M8HQ-3 L:G

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H128M8CF-3:H

MT47H128M8CF-3:H

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
MT47H128M8JN-3:H

MT47H128M8JN-3:H

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT47H128M8HQ-3:G TR

MT47H128M8HQ-3:G TR

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H128M8SH-187E:M TR

MT47H128M8SH-187E:M TR

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT47H128M8SH-25E AAT:M

MT47H128M8SH-25E AAT:M

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H128M8HQ-3 L:G TR

MT47H128M8HQ-3 L:G TR

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H128M8JN-25E:H

MT47H128M8JN-25E:H

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT47H16M16BG-37V:B

MT47H16M16BG-37V:B

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT47H128M8HQ-3 IT:G TR

MT47H128M8HQ-3 IT:G TR

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT47H128M8SH-25E IT:M

MT47H128M8SH-25E IT:M

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT47H16M16BG-3 IT:B TR

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

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