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2935501Imagen MT47H256M4B7-5E:A TRMicron Technology

MT47H256M4B7-5E:A TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MT47H256M4B7-5E:A TR
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    15ns
  • Suministro de voltaje
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tecnología
    SDRAM - DDR2
  • Paquete del dispositivo
    92-FBGA (11x19)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    92-VFBGA
  • Otros nombres
    MT47H256M4B7-5E:A TR-ND
    MT47H256M4B7-5E:ATR
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    1Gb (256M x 4)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - DDR2 Memory IC 1Gb (256M x 4) Parallel 200MHz 600ps 92-FBGA (11x19)
  • Frecuencia de reloj
    200MHz
  • Número de pieza base
    MT47H256M4
  • Tiempo de acceso
    600ps
MT47H256M4B7-37E:A TR

MT47H256M4B7-37E:A TR

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H16M16BG-5E:B

MT47H16M16BG-5E:B

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H256M4CF-25:H

MT47H256M4CF-25:H

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H16M16BG-5E:B TR

MT47H16M16BG-5E:B TR

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H256M4CF-3 IT:H

MT47H256M4CF-3 IT:H

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H256M4BT-5E:A

MT47H256M4BT-5E:A

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H16M16BG-3E:B

MT47H16M16BG-3E:B

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H1G4WTR-25E:C

MT47H1G4WTR-25E:C

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT47H256M4BT-3:A

MT47H256M4BT-3:A

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H1G4WTR-25E:C TR

MT47H1G4WTR-25E:C TR

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H16M16BG-3:B TR

MT47H16M16BG-3:B TR

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H256M4B7-37E:A

MT47H256M4B7-37E:A

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H256M4CF-25E:H TR

MT47H256M4CF-25E:H TR

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H256M4B7-5E:A

MT47H256M4B7-5E:A

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT47H256M4CF-3:H TR

MT47H256M4CF-3:H TR

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT47H256M4CF-3:H

MT47H256M4CF-3:H

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT47H256M4CF-25E:H

MT47H256M4CF-25E:H

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT47H256M4HQ-187E:E TR

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Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT47H256M4BT-37E:A

MT47H256M4BT-37E:A

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT47H16M16BG-37V:B

MT47H16M16BG-37V:B

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

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