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1376290Imagen MT47H32M16CC-5E IT:B TRMicron Technology

MT47H32M16CC-5E IT:B TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MT47H32M16CC-5E IT:B TR
  • Fabricante / Marca
    Micron Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MT47H32M16CC-5E IT:B TR.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    15ns
  • Suministro de voltaje
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tecnología
    SDRAM - DDR2
  • Paquete del dispositivo
    84-FBGA (12x12.5)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    84-TFBGA
  • Otros nombres
    MT47H32M16CC-5E IT:B TR-ND
    MT47H32M16CC-5EIT:BTR
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    512Mb (32M x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 200MHz 600ps 84-FBGA (12x12.5)
  • Frecuencia de reloj
    200MHz
  • Número de pieza base
    MT47H32M16
  • Tiempo de acceso
    600ps

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT47H32M16CC-3E:B

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

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MT47H32M16CC-37E:B

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT47H32M16HR-187E:G

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

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MT47H32M16CC-5E L:B

MT47H32M16CC-5E L:B

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

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MT47H32M16CC-37E IT:B TR

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

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MT47H32M16CC-37E L:B TR

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

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MT47H32M16CC-5E:B

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MT47H32M16CC-5E IT:B

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MT47H32M16HR-25E AAT:G TR

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