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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > MT47H64M8B6-25E IT:D TR
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484697Imagen MT47H64M8B6-25E IT:D TRMicron Technology

MT47H64M8B6-25E IT:D TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MT47H64M8B6-25E IT:D TR
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    15ns
  • Suministro de voltaje
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tecnología
    SDRAM - DDR2
  • Paquete del dispositivo
    60-FBGA
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    60-FBGA
  • Otros nombres
    MT47H64M8B6-25E IT:D TR-ND
    MT47H64M8B6-25EIT:DTR
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    512Mb (64M x 8)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 400MHz 400ps 60-FBGA
  • Frecuencia de reloj
    400MHz
  • Número de pieza base
    MT47H64M8
  • Tiempo de acceso
    400ps
MT47H64M8B6-5E IT:D TR

MT47H64M8B6-5E IT:D TR

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H64M4BP-37E:B TR

MT47H64M4BP-37E:B TR

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H64M8B6-25:D TR

MT47H64M8B6-25:D TR

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H64M4BP-37E:B

MT47H64M4BP-37E:B

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H64M8B6-5E:D TR

MT47H64M8B6-5E:D TR

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H64M16NF-25E AIT:M

MT47H64M16NF-25E AIT:M

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H64M8B6-37E IT:D TR

MT47H64M8B6-37E IT:D TR

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H64M8CB-25:B TR

MT47H64M8CB-25:B TR

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H64M16U88BWC1

MT47H64M16U88BWC1

Descripción: DDR2 1G DIE 64MX16

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H64M16NF-25E AUT:M TR

MT47H64M16NF-25E AUT:M TR

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H64M8B6-3:D TR

MT47H64M8B6-3:D TR

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H64M16NF-25E AUT:M

MT47H64M16NF-25E AUT:M

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 400MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H64M16NF-25E:M

MT47H64M16NF-25E:M

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H64M8B6-3 IT:D TR

MT47H64M8B6-3 IT:D TR

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H64M8B6-25E:D TR

MT47H64M8B6-25E:D TR

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H64M8B6-25E L:D TR

MT47H64M8B6-25E L:D TR

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H64M8CB-25:B

MT47H64M8CB-25:B

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H64M16NF-25E XIT:M

MT47H64M16NF-25E XIT:M

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H64M16NF-25E IT:M

MT47H64M16NF-25E IT:M

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT47H64M8B6-37E:D TR

MT47H64M8B6-37E:D TR

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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