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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > MT48H16M32L2B5-8 TR
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1480784Imagen MT48H16M32L2B5-8 TRMicron Technology

MT48H16M32L2B5-8 TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MT48H16M32L2B5-8 TR
  • Fabricante / Marca
    Micron Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MT48H16M32L2B5-8 TR.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    -
  • Suministro de voltaje
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tecnología
    SDRAM - Mobile LPSDR
  • Paquete del dispositivo
    90-VFBGA (8x13)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    90-VFBGA
  • Otros nombres
    MT48H16M32L2B5-8 TR-ND
    MT48H16M32L2B5-8TR
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    2 (1 Year)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    512Mb (16M x 32)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 125MHz 7.5ns 90-VFBGA (8x13)
  • Frecuencia de reloj
    125MHz
  • Número de pieza base
    MT48H16M32
  • Tiempo de acceso
    7.5ns

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Fabricantes: Micron Technology
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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

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