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MT48H32M16LFBF-6:B

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MT48H32M16LFBF-6:B
  • Fabricante / Marca
    Micron Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MT48H32M16LFBF-6:B.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    15ns
  • Suministro de voltaje
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tecnología
    SDRAM - Mobile LPSDR
  • Paquete del dispositivo
    54-VFBGA (6x9)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    54-VFBGA
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    512Mb (32M x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 166MHz 5ns 54-VFBGA (6x9)
  • Frecuencia de reloj
    166MHz
  • Número de pieza base
    MT48H32M16
  • Tiempo de acceso
    5ns

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

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MT48H32M16LFB4-6 AAT:C

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

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MT48H32M16LFB4-6 IT:C

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Descripción: IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

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MT48H32M16LFBF-75 IT:B TR

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

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