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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > MT48H4M16LFF4-10 TR
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5978969Imagen MT48H4M16LFF4-10 TRMicron Technology

MT48H4M16LFF4-10 TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MT48H4M16LFF4-10 TR
  • Fabricante / Marca
    Micron Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    MT48H4M16LFF4-10 TR.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    15ns
  • Suministro de voltaje
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tecnología
    SDRAM - Mobile LPSDR
  • Paquete del dispositivo
    54-VFBGA (8x8)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    54-VFBGA
  • Otros nombres
    MT48H4M16LFF4-10 TR-ND
    MT48H4M16LFF4-10TR
  • Temperatura de funcionamiento
    -25°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    2 (1 Year)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    64Mb (4M x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 64Mb (4M x 16) Parallel 104MHz 7ns 54-VFBGA (8x8)
  • Frecuencia de reloj
    104MHz
  • Número de pieza base
    MT48H4M16
  • Tiempo de acceso
    7ns

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Fabricantes: Micron Technology
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Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

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Descripción: IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

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MT48H8M16LFB4-10

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Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

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Descripción: IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

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Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

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Descripción: IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

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Descripción: IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

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Descripción: IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

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Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

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Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

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MT48H8M16LFB4-6 IT:K TR

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Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

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Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

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