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4393420Imagen MT48LC128M4A2TG-7E:CMicron Technology

MT48LC128M4A2TG-7E:C

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MT48LC128M4A2TG-7E:C
  • Fabricante / Marca
    Micron Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    MT48LC128M4A2TG-7E:C.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    15ns
  • Suministro de voltaje
    3 V ~ 3.6 V
  • Tecnología
    SDRAM
  • Paquete del dispositivo
    54-TSOP II
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    4 (72 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    512Mb (128M x 4)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM Memory IC 512Mb (128M x 4) Parallel 133MHz 5.4ns 54-TSOP II
  • Frecuencia de reloj
    133MHz
  • Número de pieza base
    MT48LC128M4A2
  • Tiempo de acceso
    5.4ns

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Fabricantes: Micron Technology
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RFQ
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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Micron Technology
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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

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Fabricantes: Conxall / Switchcraft
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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

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Descripción: CONN PATCHKIT 48JACKS 3.5"

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

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Descripción: 3 1/2 UNWIRED P-KIT

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Fabricantes: Micron Technology
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