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MT49H32M18BM-25:B TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MT49H32M18BM-25:B TR
  • Fabricante / Marca
    Micron Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MT49H32M18BM-25:B TR.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    -
  • Suministro de voltaje
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tecnología
    DRAM
  • Paquete del dispositivo
    144-µBGA (18.5x11)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    144-TFBGA
  • Otros nombres
    MT49H32M18BM-25:B TR-ND
    MT49H32M18BM-25:BTR
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    576Mb (32M x 18)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    DRAM Memory IC 576Mb (32M x 18) Parallel 400MHz 20ns 144-µBGA (18.5x11)
  • Frecuencia de reloj
    400MHz
  • Número de pieza base
    MT49H32M18
  • Tiempo de acceso
    20ns

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Descripción: IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

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Descripción: IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA

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MT49H16M36SJ-25:B

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Descripción: IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA

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MT49H16M36SJ-25E:B

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Descripción: IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA

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Descripción: IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

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