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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > MT49H8M36BM-TI:B

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MT49H8M36BM-TI:B

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Especificaciones

Número de pieza

MT49H8M36BM-TI:B
Fabricante / Marca

Micron Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

MT49H8M36BM-TI:B.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

-
Suministro de voltaje

1.7 V ~ 1.9 V
Tecnología

DRAM
Paquete del dispositivo

144-µBGA (18.5x11)
Serie

-
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

144-TFBGA
Temperatura de funcionamiento

0°C ~ 95°C (TC)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

288Mb (8M x 36)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

DRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

DRAM Memory IC 288Mb (8M x 36) Parallel 144-µBGA (18.5x11)

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