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MT53B128M32D1DS-062 AUT:A TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MT53B128M32D1DS-062 AUT:A TR
  • Fabricante / Marca
    Micron Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 4G 1600MHZ
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    -
  • Suministro de voltaje
    1.1V
  • Tecnología
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Otros nombres
    MT53B128M32D1DS-062 AUT:A TR-ND
    MT53B128M32D1DS-062AUT:ATR
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 125°C (TC)
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    4Gb (128M x 32)
  • Interfaz de memoria
    -
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 4Gb (128M x 32) 1600MHz
  • Frecuencia de reloj
    1600MHz

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MT53B128M32D1DS-062 AUT:A

MT53B128M32D1DS-062 AUT:A

Descripción: IC DRAM 4G 1600MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT53B128M32D1Z00NEC2

MT53B128M32D1Z00NEC2

Descripción: LPDDR4 4G DIE 128MX32

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT53B128M32D1NP-062 AIT:A TR

MT53B128M32D1NP-062 AIT:A TR

Descripción: IC DRAM 4G 1600MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT53B128M32D1DS-053 AUT:A TR

MT53B128M32D1DS-053 AUT:A TR

Descripción: IC DRAM 4G 1866MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT53B128M32D1NP-062 AIT:A

MT53B128M32D1NP-062 AIT:A

Descripción: IC DRAM 4G 1600MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT53B128M32D1NP-062 WT:A TR

MT53B128M32D1NP-062 WT:A TR

Descripción: IC DRAM 4G 1600MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT53B128M32D1DS-062 AAT:A

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Descripción: IC DRAM 4G 1600MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT53B1024M64D8PM-062 WT:D TR

MT53B1024M64D8PM-062 WT:D TR

Descripción: IC DRAM 64G 1600MHZ

Fabricantes: Micron Technology
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RFQ
MT53B1024M64D8WF-062 WT:D

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Descripción: IC DRAM 64G 1600MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT53B1024M64D8WF-062 WT ES:D

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Descripción: IC DRAM 64G 1600MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT53B128M32D1DS-053 AUT:A

MT53B128M32D1DS-053 AUT:A

Descripción: IC DRAM 4G 1866MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT53B128M32D1DS-062 AIT:A

MT53B128M32D1DS-062 AIT:A

Descripción: IC DRAM 4G 1600MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT53B128M32D1DS-062 AIT:A TR

MT53B128M32D1DS-062 AIT:A TR

Descripción: IC DRAM 4G 1600MHZ

Fabricantes: Micron Technology
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RFQ
MT53B128M32D1Z00NWC2

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Descripción: LPDDR4 4G DIE 128MX32

Fabricantes: Micron Technology
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RFQ
MT53B128M32D1NP-062 WT:A

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Descripción: IC DRAM 4G 1600MHZ

Fabricantes: Micron Technology
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MT53B128M32D1NP-062 AUT:A TR

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Descripción: IC DRAM 4G 1600MHZ

Fabricantes: Micron Technology
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MT53B128M32D1DS-062 AAT:A TR

MT53B128M32D1DS-062 AAT:A TR

Descripción: IC DRAM 4G 1600MHZ

Fabricantes: Micron Technology
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Descripción: IC DRAM 4G 1600MHZ

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MT53B128M32D1NP-062 AAT:A TR

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Descripción: IC DRAM 4G 1600MHZ

Fabricantes: Micron Technology
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MT53B128M32D1NP-062 AAT:A

MT53B128M32D1NP-062 AAT:A

Descripción: IC DRAM 4G 1600MHZ

Fabricantes: Micron Technology
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