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MT53B192M32D1Z0AMWC1 TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MT53B192M32D1Z0AMWC1 TR
  • Fabricante / Marca
    Micron Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC SDRAM 6GBIT DIE
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    -
  • Suministro de voltaje
    1.1V
  • Tecnología
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Otros nombres
    MT53B192M32D1Z0AMWC1 TR-ND
    MT53B192M32D1Z0AMWC1TR
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    6Gb (192M x 32)
  • Interfaz de memoria
    -
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 6Gb (192M x 32)

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Descripción: IC DRAM 6G 1866MHZ FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
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MT53B1DATG-DC

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Descripción: LPDDR4 8G

Fabricantes: Micron Technology
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Descripción: IC SDRAM SPEC/CUSTOM LPDDR4

Fabricantes: Micron Technology
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Descripción: LPDDR4 4G DIE 128MX32

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Descripción: LPDDR4 12G 192MX64 FBGA DDP

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Descripción: IC DRAM 6G 1866MHZ

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Descripción: LPDDR4 8G 256MX32 FBGA

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Descripción: IC DRAM 6G 1866MHZ

Fabricantes: Micron Technology
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Descripción: LPDDR4 8G 256MX32 FBGA

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Descripción: IC DRAM 6G 1600MHZ

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Descripción: IC SDRAM SPEC/CUSTOM LPDDR4

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Descripción: LPDDR4 6G DIE 192MX32

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Descripción: IC DRAM 6G 1866MHZ FBGA

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Descripción: LPDDR4 12G 192MX64 FBGA DDP

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Descripción: IC DRAM 6G 1600MHZ FBGA

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Descripción: IC SDRAM SPEC/CUSTOM LPDDR4

Fabricantes: Micron Technology
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Descripción: LPDDR4 4G DIE 128MX32

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Descripción: IC DRAM 4G 1600MHZ

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