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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > MT53B256M32D1DS-062 AIT:C TR
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MT53B256M32D1DS-062 AIT:C TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MT53B256M32D1DS-062 AIT:C TR
  • Fabricante / Marca
    Micron Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 8G 1600MHZ
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    -
  • Suministro de voltaje
    1.1V
  • Tecnología
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Otros nombres
    MT53B256M32D1DS-062 AIT:C TR-ND
    MT53B256M32D1DS-062AIT:CTR
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    8Gb (256M x 32)
  • Interfaz de memoria
    -
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 8Gb (256M x 32) 1600MHz
  • Frecuencia de reloj
    1600MHz

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MT53B256M32D1DS-062 AIT:C

MT53B256M32D1DS-062 AIT:C

Descripción: IC DRAM 8G 1600MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT53B256M32D1DS-062 XT:C TR

MT53B256M32D1DS-062 XT:C TR

Descripción: IC DRAM 8G 1600MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT53B256M32D1DS-062 AUT:C TR

MT53B256M32D1DS-062 AUT:C TR

Descripción: IC DRAM 8G 1600MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT53B256M32D1DS-062 XT:C

MT53B256M32D1DS-062 XT:C

Descripción: IC DRAM 8G 1600MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT53B256M16D1Z00MWC1

MT53B256M16D1Z00MWC1

Descripción: LPDDR4 4G DIE 256MX16

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B TR

MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B TR

Descripción: IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT53B1G64D8NW-062 WT:D TR

MT53B1G64D8NW-062 WT:D TR

Descripción: LPDDR4 64G 1GX64 FBGA 8DP

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT53B1G64D8NW-062 WT ES:D TR

MT53B1G64D8NW-062 WT ES:D TR

Descripción: LPDDR4 64G 1GX64 FBGA 8DP

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR

MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR

Descripción: IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT53B256M32D1DS-062 AUT:C

MT53B256M32D1DS-062 AUT:C

Descripción: IC DRAM 8G 1600MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT53B256M32D1DS-062 AAT:C TR

MT53B256M32D1DS-062 AAT:C TR

Descripción: IC DRAM 8G 1600MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT53B1G32D4NQ-062 WT:D

MT53B1G32D4NQ-062 WT:D

Descripción: LPDDR4 32G 1GX32 FBGA QDP

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT53B1G64D8NW-062 WT:D

MT53B1G64D8NW-062 WT:D

Descripción: LPDDR4 64G 1GX64 FBGA 8DP

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT53B1G32D4NQ-062 WT:D TR

MT53B1G32D4NQ-062 WT:D TR

Descripción: LPDDR4 32G 1GX32 FBGA QDP

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT53B1G64D8NW-062 WT ES:D

MT53B1G64D8NW-062 WT ES:D

Descripción: LPDDR4 64G 1GX64 FBGA 8DP

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT53B256M32D1GZ-062 WT:B

MT53B256M32D1GZ-062 WT:B

Descripción: IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B

MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B

Descripción: LPDDR4 8G 256MX32 FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT53B256M32D1DS-062 AAT:C

MT53B256M32D1DS-062 AAT:C

Descripción: IC DRAM 8G 1600MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B

MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B

Descripción: IC DRAM 8G 1600MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT53B256M32D1GZ-062 WT:B TR

MT53B256M32D1GZ-062 WT:B TR

Descripción: IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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