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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > MT53B256M32D1NP-062 WT ES:C TR

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MT53B256M32D1NP-062 WT ES:C TR

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Especificaciones

Número de pieza

MT53B256M32D1NP-062 WT ES:C TR
Fabricante / Marca

Micron Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

-
Suministro de voltaje

1.1V
Tecnología

SDRAM - Mobile LPDDR4
Serie

-
embalaje

Tape & Reel (TR)
Otros nombres

MT53B256M32D1NP-062 WT ES:C TR-ND
MT53B256M32D1NP-062WTES:CTR
Temperatura de funcionamiento

-30°C ~ 85°C (TC)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

8Gb (256M x 32)
Interfaz de memoria

-
Formato de memoria

DRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 8Gb (256M x 32) 1600MHz
Frecuencia de reloj

1600MHz

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Descripción: LPDDR4 8G DIE 256MX32

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