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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B
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MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B
  • Fabricante / Marca
    Micron Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 12G 1600MHZ FBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    -
  • Suministro de voltaje
    1.1V
  • Tecnología
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Serie
    -
  • Otros nombres
    MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B-ND
    MT53B384M32D2NK-062WTES:B
  • Temperatura de funcionamiento
    -30°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    12Gb (384M x 32)
  • Interfaz de memoria
    -
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo
    Lead free
  • Descripción detallada
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 12Gb (384M x 32) 1600MHz
  • Frecuencia de reloj
    1600MHz

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Descripción: IC DRAM 12G 1600MHZ FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
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MT53B384M32D2DS-062 AIT:B

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Descripción: IC DRAM 12G 1600MHZ

Fabricantes: Micron Technology
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Descripción: IC SDRAM 6GBIT DIE

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Descripción: IC DRAM 12G 1600MHZ

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Descripción: IC DRAM 12G 1600MHZ

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Descripción: IC DRAM 12G 1866MHZ

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Descripción: IC DRAM 12G 1600MHZ FBGA

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Descripción: IC DRAM 12G 1600MHZ

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Descripción: IC SDRAM 6GBIT DIE

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Descripción: IC DRAM 12G 1600MHZ

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Descripción: IC DRAM 12G 1866MHZ

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Descripción: IC DRAM 12G 1600MHZ FBGA

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Descripción: IC DRAM 12G 1600MHZ

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Descripción: IC DRAM 12G 1600MHZ

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MT53B384M32D2NP-062 XT:B

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Descripción: IC DRAM 12G 1600MHZ

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Descripción: IC DRAM 12G 1600MHZ FBGA

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Fabricantes: Micron Technology Inc.
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