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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > MT53D384M32D2DS-046 WT ES:E
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MT53D384M32D2DS-046 WT ES:E

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MT53D384M32D2DS-046 WT ES:E
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 12G 2133MHZ
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    -
  • Suministro de voltaje
    1.1V
  • Tecnología
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Serie
    -
  • Otros nombres
    MT53D384M32D2DS-046 WT ES:E-ND
    MT53D384M32D2DS-046WTES:E
  • Temperatura de funcionamiento
    -30°C ~ 85°C (TC)
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    12Gb (384M x 32)
  • Interfaz de memoria
    -
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 12Gb (384M x 32) 2133MHz
  • Frecuencia de reloj
    2133MHz
MT53D384M32D2DS-053 AAT:C TR

MT53D384M32D2DS-053 AAT:C TR

Descripción: IC DRAM 12G 1866MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT53D384M32D2DS-053 AIT:C TR

MT53D384M32D2DS-053 AIT:C TR

Descripción: IC DRAM 12G 1866MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT53D384M32D2DS-053 AUT:C TR

MT53D384M32D2DS-053 AUT:C TR

Descripción: IC DRAM 12G 1866MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT53D384M16D1NP-046 XT ES:D TR

MT53D384M16D1NP-046 XT ES:D TR

Descripción: LPDDR4 6G 384MX16 FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT53D384M16D1NP-046 XT ES:D

MT53D384M16D1NP-046 XT ES:D

Descripción: LPDDR4 6G 384MX16 FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT53D384M16D1NY-046 XT ES:D

MT53D384M16D1NY-046 XT ES:D

Descripción: LPDDR4 6G 384MX16 FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT53D384M32D2DS-053 WT ES:C TR

MT53D384M32D2DS-053 WT ES:C TR

Descripción: IC DRAM 12G 1866MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT53D384M32D2DS-053 WT ES:C

MT53D384M32D2DS-053 WT ES:C

Descripción: IC DRAM 12G 1866MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT53D384M32D2DS-053 AAT ES:C TR

MT53D384M32D2DS-053 AAT ES:C TR

Descripción: IC DRAM 12G 1866MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT53D384M32D2DS-046 AAT:C

MT53D384M32D2DS-046 AAT:C

Descripción: IC DRAM 12G 2133MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT53D384M32D2DS-046 AIT:C TR

MT53D384M32D2DS-046 AIT:C TR

Descripción: IC DRAM 12G 2133MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT53D384M32D2DS-046 AIT:C

MT53D384M32D2DS-046 AIT:C

Descripción: IC DRAM 12G 2133MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT53D384M32D2DS-053 AAT ES:C

MT53D384M32D2DS-053 AAT ES:C

Descripción: IC DRAM 12G 1866MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT53D384M16D1Z1AMWC1

MT53D384M16D1Z1AMWC1

Descripción: LPDDR4 6G DIE 384MX16

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT53D384M32D2DS-053 AUT:C

MT53D384M32D2DS-053 AUT:C

Descripción: IC DRAM 12G 1866MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT53D384M32D2DS-053 AAT:C

MT53D384M32D2DS-053 AAT:C

Descripción: IC DRAM 12G 1866MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT53D384M32D2DS-053 AIT:C

MT53D384M32D2DS-053 AIT:C

Descripción: IC DRAM 12G 1866MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT53D384M32D2DS-046 AUT:C TR

MT53D384M32D2DS-046 AUT:C TR

Descripción: IC DRAM 12G 2133MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT53D384M32D2DS-046 AAT:C TR

MT53D384M32D2DS-046 AAT:C TR

Descripción: IC DRAM 12G 2133MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT53D384M32D2DS-046 AUT:C

MT53D384M32D2DS-046 AUT:C

Descripción: IC DRAM 12G 2133MHZ

Fabricantes: Micron Technology
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