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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > MT53D512M32D2NP-062 WT ES:D TR

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MT53D512M32D2NP-062 WT ES:D TR

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Especificaciones

Número de pieza

MT53D512M32D2NP-062 WT ES:D TR
Fabricante / Marca

Micron Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

-
Suministro de voltaje

1.1V
Tecnología

SDRAM - Mobile LPDDR4
Serie

-
embalaje

Tape & Reel (TR)
Otros nombres

MT53D512M32D2NP-062 WT ES:D TR-ND
MT53D512M32D2NP-062WTES:DTR
Temperatura de funcionamiento

-30°C ~ 85°C (TC)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

16Gb (512M x 32)
Interfaz de memoria

-
Formato de memoria

DRAM
Estado sin plomo

Lead free
Descripción detallada

SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 16Gb (512M x 32) 1600MHz
Frecuencia de reloj

1600MHz

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Descripción: IC DRAM 16G 1600MHZ

Fabricantes: Micron Technology

Existencias disponibles

MT53D512M32D2NP-053 WT:D

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Descripción: IC DRAM 16G 1866MHZ

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Existencias disponibles

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Descripción: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

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MT53D512M32D2NP-053 WT:D TR

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Descripción: IC DRAM 16G 1866MHZ

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Descripción: IC DRAM 16G 2133MHZ

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Descripción: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

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MT53D512M32D2NP-062 WT ES:D

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Descripción: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

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MT53D512M32D2NP-053 WT ES:D TR

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