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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > NAND512R3A2SZA6E

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NAND512R3A2SZA6E

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Existencias disponibles

1260+

$3.121

Consulta en línea

Especificaciones

Número de pieza

NAND512R3A2SZA6E
Fabricante / Marca

Micron Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NAND512R3A2SZA6E.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

50ns
Suministro de voltaje

1.7 V ~ 1.95 V
Tecnología

FLASH - NAND
Paquete del dispositivo

63-VFBGA (9x11)
Serie

-
embalaje

Tray
Paquete / Cubierta

63-TFBGA
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Non-Volatile
Tamaño de la memoria

512Mb (64M x 8)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

FLASH
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

FLASH - NAND Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 50ns 63-VFBGA (9x11)
Número de pieza base

NAND512
Tiempo de acceso

50ns

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