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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-RF > 1014-6A
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1014-6A

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Especificaciones
  • Número de pieza
    1014-6A
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS RF BIPO 19W 1A 55LV1
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1014-6A.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    50V
  • Tipo de transistor
    NPN
  • Paquete del dispositivo
    55LV
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    19W
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    55LV
  • Temperatura de funcionamiento
    200°C (TJ)
  • La figura de ruido (dB Typ @ f)
    -
  • Tipo de montaje
    Chassis Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    32 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ganancia
    7dB ~ 7.5dB
  • Frecuencia - Transición
    1GHz ~ 1.4GHz
  • Descripción detallada
    RF Transistor NPN 50V 1A 1GHz ~ 1.4GHz 19W Chassis Mount 55LV
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    -
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    1A

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Fabricantes: 3M
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1014-TAB1D868

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Descripción: BOARD EVALUATION FOR SI1014

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Existencias disponibles
RFQ
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