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1N4148-1E3

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Especificaciones
  • Número de pieza
    1N4148-1E3
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    GLASS AXIAL SWITCHING DIODE
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    RoHS
  • Especificaciones
    1N4148-1E3.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.2V @ 100mA
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    75V
  • Paquete del dispositivo
    DO-35 (DO-204AH)
  • Velocidad
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Estado RoHS
    RoHS Compliant
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    20ns
  • Paquete / Cubierta
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -65°C ~ 175°C
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    6 Weeks
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 75V 200mA Through Hole DO-35 (DO-204AH)
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    500nA @ 75V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    200mA
  • Capacitancia Vr, F
    4pF @ 0V, 1MHz

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Descripción: DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

Fabricantes: NXP Semiconductors / Freescale
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Descripción: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción: DIODE GEN PURP 75V 2A DO35

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descripción: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

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Descripción: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

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