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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-rectificadores-Single > 1N4449
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6296963Imagen 1N4449Microsemi

1N4449

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Especificaciones
  • Número de pieza
    1N4449
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    1N4449.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1V @ 30mA
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    75V
  • Paquete del dispositivo
    DO-35
  • Velocidad
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    4ns
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -65°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 75V 200mA Through Hole DO-35
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    25nA @ 20V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    200mA
  • Capacitancia Vr, F
    -

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Descripción: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323

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Descripción: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción: DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD523F

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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1N4454

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Descripción: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Fabricantes: Microsemi
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Descripción: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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