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2708791Imagen 1N5811TRMicrosemi

1N5811TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    1N5811TR
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1N5811TR.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    875mV @ 4A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    150V
  • Paquete del dispositivo
    -
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    30ns
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    B, Axial
  • Otros nombres
    1N5811
    1N5811E3
    1N5811E3TR
    1N5811E3TR-ND
    1N5811TR-ND
    1N5811TRTR
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -65°C ~ 175°C
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 150V 6A Through Hole
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    5µA @ 150V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    6A
  • Capacitancia Vr, F
    -
  • Número de pieza base
    1N5811

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