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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-rectificadores-Single > 1N645-1
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5278630Imagen 1N645-1Microsemi

1N645-1

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Especificaciones
  • Número de pieza
    1N645-1
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    1N645-1.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1V @ 400mA
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    225V
  • Paquete del dispositivo
    DO-35
  • Velocidad
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -65°C ~ 175°C
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    6 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 225V 400mA Through Hole DO-35
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    50nA @ 225V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    400mA
  • Capacitancia Vr, F
    -

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Fabricantes: Semtech
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Descripción: TVS DIODE 18V 25.5V 1.5KE

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Fabricantes: Microsemi Corporation
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Descripción: TVS DIODE 5V 9V B AXIAL

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Descripción: TVS DIODE 18V 25.5V 1.5KE

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Descripción: TVS DIODE 18V 25.5V 1.5KE

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Descripción: SILICON SWITCHING DIODES

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Descripción: TVS DIODE 15V 21.4V 1.5KE

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descripción: TVS DIODE 6V 11V AXIAL

Fabricantes: Semtech
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Descripción: TVS DIODE 5V 9V B SQ-MELF

Fabricantes: Microsemi
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1N646-1

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Descripción: DIODE GEN PURP 300V 400MA DO35

Fabricantes: Microsemi
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