Para visitantes en ElectronicA 2024

¡Reserve su tiempo ahora!

Todo lo que se necesita es unos pocos clics para reservar su lugar y obtener el boleto de stand

Hall C5 Booth 220

Registro anticipado

Para visitantes en ElectronicA 2024
¡Están todos registrados! ¡Gracias por hacer una cita!
Le enviaremos los boletos de stand por correo electrónico una vez que hayamos verificado su reserva.
Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-rectificadores-Single > 1N6625US
RFQs/Orden (0)
español
español
2065363Imagen 1N6625USMicrosemi

1N6625US

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles
100+
$12.816
Consulta en línea
Especificaciones
  • Número de pieza
    1N6625US
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 1.1KV 1A A-MELF
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    1N6625US.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.75V @ 1A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    1100V
  • Paquete del dispositivo
    A-MELF
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    60ns
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    SQ-MELF, A
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -65°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 1100V 1A Surface Mount A-MELF
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    1µA @ 1100V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    1A
  • Capacitancia Vr, F
    10pF @ 10V, 1MHz

Se informa que Kioxia recibirá la aprobación de listados ...

21/11/2024

La última plataforma óptica de silicio de Tower Semicondu...

20/11/2024

La industria se recupera lentamente.El proveedor epitaxial ...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Proveedor: una gran cantidad de componentes de la GPU de la...

18/11/2024

Taiwán, el valor de salida del semiconductor de China crec...

17/11/2024

Ampliando la producción de paneles OLED, LG Display invert...

15/11/2024

Amazon aumenta los esfuerzos para crear chips de IA persona...

14/11/2024

La ganancia neta del tercer trimestre de Pegatron fue de $ ...

13/11/2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13/11/2024

Corea del Sur planea promulgar la Ley de Chip para contrarr...

13/11/2024
Envío
Pago
Los siguientes son productos relacionados con "1N6625US".
1N6623

1N6623

Descripción: DIODE GEN PURP 880V 1A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
1N6626US

1N6626US

Descripción: DIODE GEN PURP 220V 1.75A A-MELF

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
1N6629

1N6629

Descripción: DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
1N6630

1N6630

Descripción: DIODE GEN PURP 990V 1.4A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
1N6629US

1N6629US

Descripción: DIODE GEN PURP 880V 1.4A A-MELF

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
1N6624

1N6624

Descripción: DIODE GEN PURP 990V 1A A-PAK

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
1N6621

1N6621

Descripción: DIODE GEN PURP 440V 1.2A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
1N6628

1N6628

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1.75A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
1N6625E3

1N6625E3

Descripción: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
RFQ
1N6622

1N6622

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1.2A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
1N6626

1N6626

Descripción: DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
1N6628US

1N6628US

Descripción: DIODE GEN PURP 660V 1.75A A-MELF

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
1N6622US

1N6622US

Descripción: DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
1N6621US

1N6621US

Descripción: DIODE GEN PURP 440V 1.2A A-MELF

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
1N6630US

1N6630US

Descripción: DIODE GEN PURP 900V 1.4A D5B

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
1N6625

1N6625

Descripción: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
1N6627

1N6627

Descripción: DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
1N6623US

1N6623US

Descripción: DIODE GEN PURP 880V 1A A-MELF

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
1N6627US

1N6627US

Descripción: DIODE GEN PURP 440V 1.75A A-MELF

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
1N6624US

1N6624US

Descripción: DIODE GEN PURP 990V 1A A-MELF

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
Como el único distribuidor público de mercado abierto, poseemos una combinación única de acceso global, experiencia en la industria manufacturera y calidad probada.Con esto, podemos crear soluciones personalizadas de cadena de suministro de extremo a extremo para el abastecimiento de componentes electrónicos y la gestión de inventario.
¡Síguenos!
Términos y condicionesPolítica de infracciónSolicitar presupuestoSobre nosotrosContáctenosMapa del sitio

Seleccione el idioma

Haga clic en el espacio para salir

Idioma actual

Elija su país o región.