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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-RF > 2003
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2003

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Especificaciones
  • Número de pieza
    2003
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS HBT RF BIPOLAR 55BT
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    2003.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    50V
  • Tipo de transistor
    NPN
  • Paquete del dispositivo
    55BT-1
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    12W
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    55BT-1
  • Otros nombres
    2003MS
  • Temperatura de funcionamiento
    200°C (TJ)
  • La figura de ruido (dB Typ @ f)
    -
  • Tipo de montaje
    Chassis Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Ganancia
    8.5dB
  • Frecuencia - Transición
    2GHz
  • Descripción detallada
    RF Transistor NPN 50V 500mA 2GHz 12W Chassis Mount 55BT-1
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    10 @ 100mA, 5V
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    500mA

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