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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-RF > 2729-125

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2729-125

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20+

$328.575

Consulta en línea

Especificaciones

Número de pieza

2729-125
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS RF BIPO 350W 15A 55KS1
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

2729-125.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

15A
Tensión - Desglose

55KS-1
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

65V
Serie

-
Estado RoHS

Bulk
Resistencia - Base (R1) (Ohms)

2.7GHz ~ 2.9GHz
Potencia - Max

350W
Polarización

55KS-1
Temperatura de funcionamiento

200°C (TJ)
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante

2729-125
Ganancia

-
Frecuencia - Transición

18 @ 600mA, 5V
Tipo FET

9dB ~ 9.5dB
Descripción ampliada

RF Transistor NPN 65V 15A 2.7GHz ~ 2.9GHz 350W Chassis Mount 55KS-1
Descripción

TRANS RF BIPO 350W 15A 55KS1
Corriente - colector (Ic) (Max)

NPN

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