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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-RF > 2731-200P
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2731-200P

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Especificaciones
  • Número de pieza
    2731-200P
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    RF POWER TRANSISTOR
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    -
  • Tipo de transistor
    -
  • Paquete del dispositivo
    Module
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    -
  • Paquete / Cubierta
    Module
  • Temperatura de funcionamiento
    -
  • La figura de ruido (dB Typ @ f)
    -
  • Tipo de montaje
    Chassis Mount
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ganancia
    8.7dB
  • Frecuencia - Transición
    2.7GHz ~ 3.1GHz
  • Descripción detallada
    RF Transistor 2.7GHz ~ 3.1GHz Chassis Mount Module
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    -
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    -

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