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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > 2N2219AE4
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2N2219AE4

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Especificaciones
  • Número de pieza
    2N2219AE4
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS NPN 40V 0.8A TO-39
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
  • Especificaciones
    2N2219AE4.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    50V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    1V @ 50mA, 500mA
  • Tipo de transistor
    NPN
  • Paquete del dispositivo
    TO-39 (TO-205AD)
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    800mW
  • Paquete / Cubierta
    TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 200°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    8 Weeks
  • Frecuencia - Transición
    -
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 800mW Through Hole TO-39 (TO-205AD)
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    100 @ 150mA, 10V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    10nA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    800mA

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