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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > 2N3960
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2N3960

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Especificaciones
  • Número de pieza
    2N3960
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS NPN 12V TO-18
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    2N3960.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    12V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 3mA, 30mA
  • Tipo de transistor
    NPN
  • Paquete del dispositivo
    TO-18 (TO-206AA)
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    400mW
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Otros nombres
    1086-20937
    1086-20937-MIL
  • Temperatura de funcionamiento
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Frecuencia - Transición
    -
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 12V 400mW Through Hole TO-18 (TO-206AA)
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    60 @ 10mA, 1V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    10µA (ICBO)

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