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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > 2N5013
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2N5013

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Especificaciones
  • Número de pieza
    2N5013
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    NPN SILICON TRANSISTOR
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    800V
  • Tipo de transistor
    NPN
  • Paquete del dispositivo
    TO-5
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    1W
  • Paquete / Cubierta
    TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
  • Temperatura de funcionamiento
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Frecuencia - Transición
    -
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 800V 200mA 1W Through Hole TO-5
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    30 @ 20mA, 10V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    10nA (ICBO)
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    200mA

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