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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > 2N6317
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1094402Imagen 2N6317Microsemi

2N6317

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Especificaciones
  • Número de pieza
    2N6317
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS PNP 60V 7A TO-213AA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    2N6317.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    60V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    2V @ 1.75A, 7A
  • Tipo de transistor
    PNP
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    90W
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    TO-213AA, TO-66-2
  • Temperatura de funcionamiento
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    12 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Frecuencia - Transición
    -
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 7A 90W Through Hole
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    25 @ 2.5A, 4V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    500µA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    7A

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