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2N6766T1

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Especificaciones

Número de pieza

2N6766T1
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 200V TO-254AA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

1.2N6766T1.pdf
2.2N6766T1.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-254AA
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

90 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo)

4W (Ta), 150W (Tc)
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

115nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

200V
Descripción detallada

N-Channel 200V 30A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-254AA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

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