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Imagen APT100GT120JRDQ4

Microsemi

APT100GT120JRDQ4

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Especificaciones

Número de pieza

APT100GT120JRDQ4
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IGBT 1200V 123A 570W SOT227
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.APT100GT120JRDQ4.pdf
2.APT100GT120JRDQ4.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

1200V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 100A
Paquete del dispositivo

ISOTOP®
Serie

Thunderbolt IGBT®
Potencia - Max

570W
Paquete / Cubierta

ISOTOP
Otros nombres

APT100GT120JRDQ4MI
APT100GT120JRDQ4MI-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
termistor NTC

No
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de entrada (CIES) @ Vce

7.85nF @ 25V
Entrada

Standard
Tipo de IGBT

NPT
Descripción detallada

IGBT Module NPT Single 1200V 123A 570W Chassis Mount ISOTOP®
Corriente - corte del colector (Max)

200µA
Corriente - colector (Ic) (Max)

123A
Configuración

Single

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