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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-puentes rectificadores > APT10DC120HJ
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4314884Imagen APT10DC120HJMicrosemi

APT10DC120HJ

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Especificaciones
  • Número de pieza
    APT10DC120HJ
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Tensión - inversa de pico (máxima)
    1.2kV
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.8V @ 10A
  • Tecnología
    Silicon Carbide Schottky
  • Paquete del dispositivo
    SOT-227
  • Serie
    -
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Chassis Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Single Phase
  • Descripción detallada
    Bridge Rectifier Single Phase Silicon Carbide Schottky 1.2kV Chassis Mount SOT-227
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    200µA @ 1200V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    10A
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

Descripción: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2

Descripción: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT10SCD120K

APT10SCD120K

Descripción: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT100S20LCTG

APT100S20LCTG

Descripción: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

Descripción: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT10M07JVR

APT10M07JVR

Descripción: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT100GT60JRDQ4

APT100GT60JRDQ4

Descripción: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT10M11JVR

APT10M11JVR

Descripción: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT100GT60JR

APT100GT60JR

Descripción: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT100GT60B2RG

APT100GT60B2RG

Descripción: IGBT 600V 148A 500W SOT247

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT100M50J

APT100M50J

Descripción: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

Descripción: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT100S20BG

APT100S20BG

Descripción: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT10SCD120B

APT10SCD120B

Descripción: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT102GA60B2

APT102GA60B2

Descripción: IGBT 600V 183A 780W TO247

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

Descripción: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT10SCD65K

APT10SCD65K

Descripción: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

Descripción: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT102GA60L

APT102GA60L

Descripción: IGBT 600V 183A 780W TO264

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

Descripción: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Fabricantes: Microsemi
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