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5595848Imagen APT25GP120BDQ1GMicrosemi

APT25GP120BDQ1G

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$10.578
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$9.645
510+
$9.023
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Especificaciones
  • Número de pieza
    APT25GP120BDQ1G
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IGBT 1200V 69A 417W TO247
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.APT25GP120BDQ1G.pdf
    2.APT25GP120BDQ1G.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    1200V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    3.9V @ 15V, 25A
  • Condición de prueba
    600V, 25A, 5 Ohm, 15V
  • Td (encendido / apagado) @ 25 ° C
    12ns/70ns
  • Cambio de Energía
    500µJ (on), 440µJ (off)
  • Paquete del dispositivo
    TO-247 [B]
  • Serie
    POWER MOS 7®
  • Potencia - Max
    417W
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-247-3
  • Otros nombres
    APT25GP120BDQ1GMI
    APT25GP120BDQ1GMI-ND
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    32 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    PT
  • puerta de carga
    110nC
  • Descripción detallada
    IGBT PT 1200V 69A 417W Through Hole TO-247 [B]
  • Corriente - Colector Pulsada (ICM)
    90A
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    69A

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Descripción: IGBT 1200V 67A 272W D3PAK

Fabricantes: Microsemi
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Descripción: IGBT 1200V 69A 417W TO247

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Fabricantes: Microsemi
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