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497823Imagen APT30M19JVRMicrosemi

APT30M19JVR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    APT30M19JVR
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.APT30M19JVR.pdf
    2.APT30M19JVR.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    4V @ 5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    ISOTOP®
  • Serie
    POWER MOS V®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    19 mOhm @ 500mA, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    700W (Tc)
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Chassis Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    19 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    21600pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    975nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    300V
  • Descripción detallada
    N-Channel 300V 130A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    130A (Tc)

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