Para visitantes en ElectronicA 2024

¡Reserve su tiempo ahora!

Todo lo que se necesita es unos pocos clics para reservar su lugar y obtener el boleto de stand

Hall C5 Booth 220

Registro anticipado

Para visitantes en ElectronicA 2024
¡Están todos registrados! ¡Gracias por hacer una cita!
Le enviaremos los boletos de stand por correo electrónico una vez que hayamos verificado su reserva.
Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > APT42F50S
RFQs/Orden (0)
español
español
376884Imagen APT42F50SMicrosemi

APT42F50S

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles
60+
$12.044
Consulta en línea
Especificaciones
  • Número de pieza
    APT42F50S
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 500V 42A D3PAK
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    APT42F50S.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    D3Pak
  • Serie
    POWER MOS 8™
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    130 mOhm @ 21A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    625W (Tc)
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    22 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    6810pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    170nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    500V
  • Descripción detallada
    N-Channel 500V 42A (Tc) 625W (Tc) Surface Mount D3Pak
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    42A (Tc)

Anthrope recibe otra inversión de $ 4 mil millones de Amaz...

23/11/2024

Semi: las ventas de IC aumentan en un 12% en el tercer ...

22/11/2024

Se informa que Kioxia recibirá la aprobación de listados ...

21/11/2024

La última plataforma óptica de silicio de Tower Semicondu...

20/11/2024

La industria se recupera lentamente.El proveedor epitaxial ...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Proveedor: una gran cantidad de componentes de la GPU de la...

18/11/2024

Taiwán, el valor de salida del semiconductor de China crec...

17/11/2024

Ampliando la producción de paneles OLED, LG Display invert...

15/11/2024

Amazon aumenta los esfuerzos para crear chips de IA persona...

14/11/2024

La ganancia neta del tercer trimestre de Pegatron fue de $ ...

13/11/2024
Envío
Pago
Los siguientes son productos relacionados con "APT42F50S".
APT44GA60B

APT44GA60B

Descripción: IGBT 600V 78A 337W TO-247

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APT43GA90BD30

APT43GA90BD30

Descripción: IGBT 900V 78A 337W TO247

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APT40N60JCU3

APT40N60JCU3

Descripción: MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APT42F50B

APT42F50B

Descripción: MOSFET N-CH 500V 42A TO-247

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APT43M60L

APT43M60L

Descripción: MOSFET N-CH 600V 45A TO-264

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APT40SM120S

APT40SM120S

Descripción: MOSFET N-CH 1200V 41A D3PAK

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APT43GA90B

APT43GA90B

Descripción: IGBT 900V 78A 337W TO-247

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APT40SM120B

APT40SM120B

Descripción: MOSFET N-CH 1200V 41A TO247

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APT41M80L

APT41M80L

Descripción: MOSFET N-CH 800V 43A TO-264

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APT41F100J

APT41F100J

Descripción: MOSFET N-CH 1000V 41A SOT-227

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APT44F80L

APT44F80L

Descripción: MOSFET N-CH 800V 44A TO-264

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APT40M75JN

APT40M75JN

Descripción: MOSFET N-CH 400V 56A ISOTOP

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APT40N60JCU2

APT40N60JCU2

Descripción: MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APT44GA60BD30

APT44GA60BD30

Descripción: IGBT 600V 78A 337W TO-247

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APT43M60B2

APT43M60B2

Descripción: MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APT43F60L

APT43F60L

Descripción: MOSFET N-CH 600V 45A TO-264

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APT41M80B2

APT41M80B2

Descripción: MOSFET N-CH 800V 43A T-MAX

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APT43F60B2

APT43F60B2

Descripción: MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APT40SM120J

APT40SM120J

Descripción: MOSFET N-CH 1200V 32A SOT227

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APT44F80B2

APT44F80B2

Descripción: MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
Como el único distribuidor público de mercado abierto, poseemos una combinación única de acceso global, experiencia en la industria manufacturera y calidad probada.Con esto, podemos crear soluciones personalizadas de cadena de suministro de extremo a extremo para el abastecimiento de componentes electrónicos y la gestión de inventario.
¡Síguenos!
Términos y condicionesPolítica de infracciónSolicitar presupuestoSobre nosotrosContáctenosMapa del sitio

Seleccione el idioma

Haga clic en el espacio para salir

Idioma actual

Elija su país o región.