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5909604Imagen APT6013LLLGMicrosemi Corporation

APT6013LLLG

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Especificaciones
  • Número de pieza
    APT6013LLLG
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 600V 43A TO-264
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Voltaje - Prueba
    5630pF @ 25V
  • Tensión - Desglose
    TO-264 [L]
  • VGS (th) (Max) @Id
    130 mOhm @ 21.5A, 10V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Serie
    POWER MOS 7®
  • Estado RoHS
    Tube
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    43A (Tc)
  • Polarización
    TO-264-3, TO-264AA
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Número de pieza del fabricante
    APT6013LLLG
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    130nC @ 10V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    5V @ 2.5mA
  • Característica de FET
    N-Channel
  • Descripción ampliada
    N-Channel 600V 43A (Tc) 565W (Tc) Through Hole TO-264 [L]
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    -
  • Descripción
    MOSFET N-CH 600V 43A TO-264
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    600V
  • relación de capacidades
    565W (Tc)
APT58MJ50J

APT58MJ50J

Descripción: MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT60D100BG

APT60D100BG

Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT5SM170S

APT5SM170S

Descripción: MOSFET N-CH 700V D3PAK

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT6013JLL

APT6013JLL

Descripción: MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
APT60D120SG

APT60D120SG

Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A D3

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
APT6017LFLLG

APT6017LFLLG

Descripción: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT5SM170B

APT5SM170B

Descripción: MOSFET N-CH 700V TO247

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT6040BN

APT6040BN

Descripción: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT58M50JU3

APT58M50JU3

Descripción: MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT60D100SG

APT60D100SG

Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 60A D3

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
APT60D100LCTG

APT60D100LCTG

Descripción: DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT6030BN

APT6030BN

Descripción: MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT6017LLLG

APT6017LLLG

Descripción: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
APT60D120BG

APT60D120BG

Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT6010B2LLG

APT6010B2LLG

Descripción: MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
APT5F100K

APT5F100K

Descripción: MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT58M50JU2

APT58M50JU2

Descripción: MOSFET N-CH 500V 58A SOT227

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT6040BNG

APT6040BNG

Descripción: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT58M50JCU3

APT58M50JCU3

Descripción: MOSFET N-CH 500V 58A SOT227

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT58M80J

APT58M80J

Descripción: MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227

Fabricantes: Microsemi
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