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APT70GR65B2DU40

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90+
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Especificaciones
  • Número de pieza
    APT70GR65B2DU40
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    APT70GR65B2DU40.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    650V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.4V @ 15V, 70A
  • Condición de prueba
    433V, 70A, 4.3 Ohm, 15V
  • Td (encendido / apagado) @ 25 ° C
    18ns/170ns
  • Paquete del dispositivo
    T-MAX™ [B2]
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    595W
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    TO-247-3
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    28 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    NPT
  • puerta de carga
    305nC
  • Descripción detallada
    IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX™ [B2]
  • Corriente - Colector Pulsada (ICM)
    280A
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    134A

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