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APT80SM120B

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Especificaciones
  • Número de pieza
    APT80SM120B
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    POWER MOSFET - SIC
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    APT80SM120B.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    +25V, -10V
  • Tecnología
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Paquete del dispositivo
    TO-247
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    55 mOhm @ 40A, 20V
  • La disipación de energía (máximo)
    555W (Tc)
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    TO-247-3
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    235nC @ 20V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    20V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    1200V
  • Descripción detallada
    N-Channel 1200V 80A (Tc) 555W (Tc) Through Hole TO-247
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    80A (Tc)

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