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APTGF660U60D4G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    APTGF660U60D4G
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IGBT 600V 860A 2800W D4
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.APTGF660U60D4G.pdf
    2.APTGF660U60D4G.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    600V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.45V @ 15V, 800A
  • Paquete del dispositivo
    D4
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    2800W
  • Paquete / Cubierta
    D4
  • Temperatura de funcionamiento
    -
  • termistor NTC
    No
  • Tipo de montaje
    Chassis Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de entrada (CIES) @ Vce
    36nF @ 25V
  • Entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    NPT
  • Descripción detallada
    IGBT Module NPT Single 600V 860A 2800W Chassis Mount D4
  • Corriente - corte del colector (Max)
    500µA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    860A
  • Configuración
    Single

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