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APTGLQ100H65T3G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    APTGLQ100H65T3G
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    POWER MODULE - IGBT
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    APTGLQ100H65T3G.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    650V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.3V @ 15V, 100A
  • Paquete del dispositivo
    SP3F
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    350W
  • Paquete / Cubierta
    Module
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • termistor NTC
    Yes
  • Tipo de montaje
    Chassis Mount
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de entrada (CIES) @ Vce
    6.15nF @ 25V
  • Entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    Trench Field Stop
  • Descripción detallada
    IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge 650V 135A 350W Chassis Mount SP3F
  • Corriente - corte del colector (Max)
    50µA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    135A
  • Configuración
    Full Bridge

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Descripción: POWER MODULE - IGBT

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Descripción: POWER MODULE - IGBT

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Descripción: POWER MODULE - IGBT

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Descripción: POWER MODULE - IGBT

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Descripción: POWER MODULE - IGBT

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Descripción: POWER MODULE - IGBT

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Descripción: POWER MODULE - IGBT

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Descripción: MOD IGBT 1200V 110A SP3

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