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APTGT100DH170G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    APTGT100DH170G
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    1700V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.4V @ 15V, 100A
  • Paquete del dispositivo
    SP6
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    560W
  • Paquete / Cubierta
    SP6
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • termistor NTC
    No
  • Tipo de montaje
    Chassis Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de entrada (CIES) @ Vce
    9nF @ 25V
  • Entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    Trench Field Stop
  • Descripción detallada
    IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 1700V 150A 560W Chassis Mount SP6
  • Corriente - corte del colector (Max)
    350µA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    150A
  • Configuración
    Asymmetrical Bridge

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Fabricantes: Microsemi
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Descripción: IGBT FULL BRIDGE 600V 150A SP3

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Descripción: IGBT 1200V 140A 480W SP4

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Descripción: MOD IGBT 600V 150A SP3

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Descripción: IGBT 1200V 150A 520W D1

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