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2494574Imagen APTGT50H60T3GMicrosemi

APTGT50H60T3G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    APTGT50H60T3G
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.APTGT50H60T3G.pdf
    2.APTGT50H60T3G.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    600V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    1.9V @ 15V, 50A
  • Paquete del dispositivo
    SP3
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    176W
  • Paquete / Cubierta
    SP3
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • termistor NTC
    Yes
  • Tipo de montaje
    Chassis Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    32 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de entrada (CIES) @ Vce
    3.15nF @ 25V
  • Entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    Trench Field Stop
  • Descripción detallada
    IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 600V 80A 176W Chassis Mount SP3
  • Corriente - corte del colector (Max)
    250µA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    80A
  • Configuración
    Full Bridge Inverter

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Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
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Descripción: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4

Fabricantes: Microsemi
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Descripción: IGBT 1700V 70A 310W D1

Fabricantes: Microsemi
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Descripción: IGBT 1200V 75A 277W SP4

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Fabricantes: Microsemi
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Descripción: POWER MODULE IGBT 600V 50A SP1

Fabricantes: Microsemi
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