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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-rectificadores-Single > JAN1N3600
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JAN1N3600

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Especificaciones
  • Número de pieza
    JAN1N3600
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 50V 200MA DO7
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    JAN1N3600.pdf
  • Tensión - inversa de pico (máxima)
    Standard
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    200mA (DC)
  • Tensión - Desglose
    DO-7
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/231
  • Estado RoHS
    Bulk
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Resistencia @ Si, F
    -
  • Polarización
    DO-204AA, DO-7, Axial
  • Otros nombres
    1086-16797
    1086-16797-MIL
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    4ns
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    10 Weeks
  • Número de pieza del fabricante
    JAN1N3600
  • Descripción ampliada
    Diode Standard 50V 200mA (DC) Through Hole DO-7
  • configuración de diodo
    100nA @ 50V
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 50V 200MA DO7
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    1V @ 200mA
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    50V
  • Capacitancia Vr, F
    -65°C ~ 175°C

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